STF11NM65N

STMicroelectronics
511-STF11NM65N
STF11NM65N

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet

Ciclo de vida:
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Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
12 A
380 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
29 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 20 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 13 ns
Serie: STF11NM65N
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 55 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 11 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541210000
ECCN:
EAR99