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STF42N60M2-EP

Name: STMicroelectronics STF42N60M2-EP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF42N60M2-EP
Price: 3.1 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-STF42N60M2-EP

Fabricante N.º:

STF42N60M2-EP

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	34 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	87 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	55 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	40 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9.5 ns
Serie:	STF42N60M2-EP
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	96.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	16.5 ns
Peso de la unidad:	2 g

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PCN

Product Change Notification 2024-04-02 (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Singapur
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between R_DS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.