STFW3N170

STMicroelectronics
511-STFW3N170
STFW3N170

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package

Modelo ECAD:
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900
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Plazo de entrega de fábrica:
16
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Precio ext.:
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Cantidad Precio unitario
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$3.85 $38.50
$3.21 $321.00
$2.86 $1,716.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3PF-3
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
2.6 A
7 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
PowerMESH
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 53 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 9 ns
Serie: STFW3N170
Cantidad de empaque de fábrica: 300
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 51 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 25 ns
Peso de la unidad: 5.500 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
República de Corea
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors