STH80N10LF7-2AG
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511-STH80N10LF7-2AG
STH80N10LF7-2AG
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 packag
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 packag
Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Hoja de datos:
Disponibilidad
-
Existencias:
-
No en existenciasSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $3.10 | $3.10 | |
| $2.02 | $20.20 | |
| $1.39 | $139.00 | |
| $1.16 | $580.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000) | ||
| $1.06 | $1,060.00 | |
| $1.01 | $2,020.00 | |
Códigos de cumplimiento
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
Clasificaciones de origen
- País de origen:
- No disponible
- País de origen del ensamblaje:
- No disponible
- País de difusión:
- No disponible
