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STI33N65M2

Name: STMicroelectronics STI33N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STI33N65M2
Price: 4.24 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-STI33N65M2

Fabricante N.º:

STI33N65M2

Fabricante:

STMicroelectronics

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-262-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	24 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	117 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	41.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	190 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	SG
Tiempo de caída:	9 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	11.5 ns
Serie:	STI33N65M2
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	72.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13.5 ns
Peso de la unidad:	2.387 g