STLD257N4F7AG

STMicroelectronics
511-STLD257N4F7AG
STLD257N4F7AG

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET
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Ciclo de vida:
NRND:
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Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
24 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 2500   Múltiples: 2500
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
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$1.64 $4,100.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
AEC-Q101
Reel
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: Not Available
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: STLD257N4F7AG
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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