STN2NE10L

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Mouser N.º:

511-STN2NE10L

Fabricante N.º:

STN2NE10L

Fabricante:

STMicroelectronics

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-223-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	1.8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	400 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 65 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	SG
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	3 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	17 ns
Serie:	STN2NE10L
Cantidad de empaque de fábrica:	4000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	22 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns
Peso de la unidad:	112 mg