STP10NK80Z

STMicroelectronics
511-STP10NK80Z
STP10NK80Z

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH

Modelo ECAD:
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Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
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Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$4.81 $4.81
$2.37 $23.70
$2.13 $213.00
$2.04 $1,020.00
$2.00 $2,000.00
$1.97 $3,940.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
9 A
900 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
72 nC
- 55 C
+ 150 C
160 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 17 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 9.6 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 20 ns
Serie: STP10NK80Z
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 65 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 30 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.