STP18N55M5

STMicroelectronics
511-STP18N55M5
STP18N55M5

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5

Modelo ECAD:
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En existencias: 2,056

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.94 $3.94
$1.92 $19.20
$1.76 $176.00
$1.52 $760.00
$1.36 $1,360.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
550 V
13 A
240 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
31 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: CN
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 13 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 9.5 ns
Serie: Mdmesh M5
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 29 ns
Peso de la unidad: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99