STP18N60DM2
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511-STP18N60DM2
STP18N60DM2
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag
Ciclo de vida:
Fin de vida útil:
Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.
Hoja de datos:
En existencias: 1,195
-
Existencias:
-
1,195 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 1195 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $3.31 | $3.31 | |
| $1.68 | $16.80 | |
| $1.52 | $152.00 | |
| $1.24 | $620.00 | |
| $1.11 | $1,110.00 | |
| $1.10 | $11,000.00 |
Hoja de datos
EOL
PCN
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
