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STP23NM60ND

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Mouser N.º:

511-STP23NM60ND

Fabricante N.º:

STP23NM60ND

Fabricante:

STMicroelectronics

Ciclo de vida:

Obsoleto

Modelo ECAD:

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Fabricante:

STMicroelectronics

Fabricante N.º:

STP28N60DM2

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	19.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	180 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	150 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	40 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	45 ns
Serie:	STP23NM60ND
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	90 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	25 ns
Peso de la unidad:	2 g