STP34NM60ND
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511-STP34NM60ND
STP34NM60ND
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD
Ciclo de vida:
Fin de vida útil:
Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.
Hoja de datos:
En existencias: 662
-
Existencias:
-
662 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 662 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $6.62 | $6.62 | |
| $6.61 | $66.10 | |
| $6.59 | $659.00 | |
| $6.58 | $3,290.00 |
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
Hoja de datos
EOL
PCN
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
