STP35N60DM2
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511-STP35N60DM2
STP35N60DM2
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220 package
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220 package
Hoja de datos:
Disponibilidad
-
Existencias:
-
0
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Plazo de entrega de fábrica:
-
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $4.92 | $4.92 | |
| $2.54 | $25.40 | |
| $2.31 | $231.00 | |
| $1.91 | $955.00 | |
| $1.77 | $1,770.00 | |
| $1.66 | $3,320.00 | |
| $1.63 | $8,150.00 |
Hoja de datos
PCN
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
Guatemala
