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STP4N150

Name: STMicroelectronics STP4N150
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP4N150
Price: 6.16 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-STP4N150

Fabricante N.º:

STP4N150

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.5 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	50 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	160 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerMESH
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	45 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	3.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	30 ns
Serie:	STP4N150
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	45 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	35 ns
Peso de la unidad:	2 g

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PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors

N-Channel PowerMESH Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel PowerMESH Power MOSFETs are designed with the STMicroelectronics consolidated strip-layout based MESH OVERLAY™ process. This process results in an advanced family of high voltage Power MOSFETs with outstanding performances. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure, gives the lowest R_DS(on) per area, unrivaled gate charge, and switching characteristics.