STP6N60M2

STMicroelectronics
511-STP6N60M2
STP6N60M2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

Modelo ECAD:
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En pedido:
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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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$-.--
Precio ext.:
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Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$1.90 $1.90
$1.06 $10.60
$0.934 $93.40
$0.753 $376.50
$0.69 $690.00
$0.638 $1,276.00
$0.621 $3,105.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
4.5 A
1.06 Ohms
- 25 V, 25 V
3 V
8 nC
- 55 C
+ 150 C
60 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 22.5 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 7.4 ns
Serie: STP6N60M2
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 24 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 9.5 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99