STW18N60M2

STMicroelectronics
511-STW18N60M2
STW18N60M2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package

Modelo ECAD:
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En existencias: 379

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
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$3.73 $3.73
$2.04 $20.40
$1.40 $140.00
$1.38 $828.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
13 A
280 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
21.5 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 10.6 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 9 ns
Serie: STW18N60M2
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 47 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 12 ns
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99