STW28N60DM2

STMicroelectronics
511-STW28N60DM2
STW28N60DM2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

Modelo ECAD:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Cantidad Precio unitario
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$5.09 $5.09
$2.84 $28.40
$2.34 $234.00
$1.98 $1,188.00
$1.97 $2,364.00
$1.73 $5,190.00
$1.71 $9,234.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
22 A
130 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
39 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: SG
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: STW28N60DM2
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99