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TSM2308CX RFG

Name: Taiwan Semiconductor TSM2308CX RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM2308CX-RFG
Price: 1.13 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

821-TSM2308CX-RFG

Fabricante N.º:

TSM2308CX RFG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos:

TSM2308CX RFG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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$-.--

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$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.13	$1.13
	$0.706	$7.06
	$0.462	$46.20
	$0.357	$178.50
	$0.323	$323.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.277	$831.00
	$0.255	$1,530.00
	$0.225	$2,025.00
	$0.218	$5,232.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	130 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	3.99 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.25 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	2.4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	17.5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	14.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.3 ns
Peso de la unidad:	8 mg