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TSM2537CQ RFG

Name: Taiwan Semiconductor TSM2537CQ RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM2537CQRFG
Price: 0.99 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

821-TSM2537CQRFG

Fabricante N.º:

TSM2537CQ RFG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

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	$0.221	$1,326.00
	$0.193	$1,737.00
	$0.187	$4,488.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TDFN22-6
Polaridad del transistor:	N-Channel, P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	9 A, 11.6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	17 mOhms, 48 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	500 mV, 450 mV
Qg - Carga de puerta:	9.1 nC, 9.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	6.25 W, 6.25 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	30 ns, 68 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	28 S, 15 S
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	41 ns, 34 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	N- and P-Channel Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	25 ns, 69 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns, 10 ns
Alias de las piezas n.º:	TSM2537CQ
Peso de la unidad:	94.742 mg