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TSM60N1R4CP ROG

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Mouser N.º:

821-TSM60N1R4CPROG

Fabricante N.º:

TSM60N1R4CP ROG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Fabricante N.º:

TSM60NC1R5CP ROG

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3.3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	880 mOhms
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	7.7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	38 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	20 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	22 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	24 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns
Peso de la unidad:	330 mg