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CSD25302Q2

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Mouser N.º:

595-CSD25302Q2

Fabricante N.º:

CSD25302Q2

Fabricante:

Texas Instruments

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Fabricante:

Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD25310Q2

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WSON-FET-6
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	49 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Qg - Carga de puerta:	2.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.4 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	1.3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	12.3 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	13.2 ns
Serie:	CSD25302Q2
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	8.6 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	3.2 ns
Peso de la unidad:	5 mg