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CSD85302L

Name: Texas Instruments CSD85302L
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD85302L
Price: 0.86 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD85302L

Fabricante N.º:

CSD85302L

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N ch MOSFET A 595-CSD85302LT A A 595-CSD85302LT

Hoja de datos:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.86	$0.86
	$0.532	$5.32
	$0.347	$34.70
	$0.266	$133.00
	$0.238	$238.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.203	$609.00
	$0.171	$1,026.00
	$0.169	$1,521.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Modo canal:	Enhancement
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	CN
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	99 ns
Id - Corriente de drenaje continua:	7 A
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Número de canales:	2 Channel
Paquete / Cubierta:	PICOSTAR-4
Dp - Disipación de potencia :	1.7 W
Tipo de producto:	MOSFETs
Qg - Carga de puerta:	6 nC
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	24 mOhms
Tiempo de subida:	54 ns
Serie:	CSD85302L
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	Si
Nombre comercial:	NexFET
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	173 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	37 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	680 mV
Peso de la unidad:	1.200 mg

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CAHTS:: 8541290000
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NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.