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TJ90S04M3L,LQ

Name: Toshiba TJ90S04M3L,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TJ90S04M3LLQ
Price: 3.09 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TJ90S04M3LLQ

Fabricante N.º:

TJ90S04M3L,LQ

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=180W F=1MHZ

Hoja de datos:

TJ90S04M3L,LQ Hoja de datos (PDF)

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$3.09	$3.09
	$2.00	$20.00
	$1.41	$141.00
	$1.14	$570.00
	$1.09	$1,090.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$1.02	$2,040.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	90 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	172 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	180 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	U-MOSVI
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	426 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	76 ns
Serie:	TJ20A10M3
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	1305 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	94 ns
Peso de la unidad:	360 mg

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Test/Quality Data

Reliability Tests Report

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Japón
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.