TK125A60Z1,S4X
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757-TK125A60Z1S4X
TK125A60Z1,S4X
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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Hoja de datos:
En existencias: 50
-
Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
-
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $3.71 | $3.71 | |
| $2.52 | $25.20 | |
| $1.71 | $171.00 | |
| $1.39 | $695.00 | |
| $1.29 | $1,290.00 | |
| $1.27 | $3,175.00 |
Hoja de datos
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Drive Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
