TK12P60W,RVQ
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757-TK12P60WRVQ
TK12P60W,RVQ
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 340mOhm 115A 100W 890pF 25nC
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 340mOhm 115A 100W 890pF 25nC
Hoja de datos:
En existencias: 757
-
Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
-
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| Cinta cortada / MouseReel™ † | ||
| $2.43 | $2.43 | |
| $1.79 | $17.90 | |
| $1.43 | $143.00 | |
| $1.41 | $705.00 | |
| $1.36 | $1,360.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000) | ||
| $1.15 | $2,300.00 | |
| 24,000 | Presupuesto | |
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.
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Hoja de datos
Application Notes
- Applications of Low-Voltage One-Gate Logic ICs to Level Shift Circuits
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Tips for Selecting Level Shifters (Voltage Translation ICs)
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
