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TK4R4P06PL,RQ

Name: Toshiba TK4R4P06PL,RQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK4R4P06PLRQ
Price: 1.16 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TK4R4P06PLRQ

Fabricante N.º:

TK4R4P06PL,RQ

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 106A 87W

Hoja de datos:

TK4R4P06PL,RQ Hoja de datos (PDF)

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	$0.699	$1,747.50
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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	106 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	48.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	87 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	U-MOSIX-H
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	18 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Serie:	TK4R4P06PL
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	55 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	24 ns
Peso de la unidad:	330 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

U-MOSIX-H MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, and flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers, and data centers. The MOSFETs feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.

U-MOSIX-H Low Voltage Enhancement Mode MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers and data centers. They feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the latest Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. The U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.
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