TK5A65D(STA4,Q,M)
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757-TK5A65DSTA4QM
TK5A65D(STA4,Q,M)
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm
Hoja de datos:
En existencias: 164
-
Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
-
32 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $2.19 | $2.19 | |
| $1.10 | $11.00 | |
| $1.03 | $103.00 | |
| $0.794 | $397.00 | |
| $0.677 | $677.00 | |
| $0.652 | $3,260.00 |
Hoja de datos
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Product Catalogs
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541210000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541210101
- KRHTS:
- 8541219000
- TARIC:
- 8541210000
- MXHTS:
- 85412101
- ECCN:
- EAR99
