TK6A53D(STA4,Q,M)
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757-TK6A53DSTA4QM
TK6A53D(STA4,Q,M)
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 6A 525V 35W 600pF 1.3 Ohm
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 6A 525V 35W 600pF 1.3 Ohm
Hoja de datos:
Disponibilidad
-
Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
-
32 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $2.03 | $2.03 | |
| $1.07 | $10.70 | |
| $0.855 | $85.50 | |
| $0.697 | $348.50 | |
| $0.596 | $596.00 | |
| $0.576 | $1,440.00 |
Hoja de datos
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Product Catalogs
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- TARIC:
- 8542399000
- MXHTS:
- 8542399901
- ECCN:
- EAR99
