TK8A50DA(STA4,Q,M)

Toshiba
757-TK8A50DASTA4QM
TK8A50DA(STA4,Q,M)

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm

Modelo ECAD:
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Precio ext.:
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$0.616 $1,540.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
500 V
7.5 A
760 mOhms
- 30 V, 30 V
4.4 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
35 W
Enhancement
MOSVII
Tube
Marca: Toshiba
Configuración: Single
Tiempo de caída: 11 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 1 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 20 ns
Serie: TK8A50DA
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 60 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 40 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and RDS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.