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TPH3R704PC,LQ

Name: Toshiba TPH3R704PC,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPH3R704PCLQ
Price: 1.76 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TPH3R704PCLQ

Fabricante N.º:

TPH3R704PC,LQ

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP-ADV PD=90W 1MHz PWR MOSFET TRNS

Hoja de datos:

TPH3R704PC,LQ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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$-.--

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$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.76	$1.76
	$1.12	$11.20
	$0.749	$74.90
	$0.591	$295.50
	$0.541	$541.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.502	$1,506.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Modo canal:	Enhancement
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6.6 ns
Id - Corriente de drenaje continua:	82 A
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Número de canales:	1 Channel
Paquete / Cubierta:	SOP-8
Dp - Disipación de potencia :	90 W
Tipo de producto:	MOSFETs
Qg - Carga de puerta:	47 nC
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.8 mOhms
Tiempo de subida:	7.2 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	Si
Nombre comercial:	U-MOSIX-H
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	33 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	19 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.4 V
Peso de la unidad:	83 mg

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Product Catalogs

Test/Quality Data

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

U-MOSIX-H MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, and flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers, and data centers. The MOSFETs feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.