TPW3R70APL,L1Q
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757-TPW3R70APLL1Q
TPW3R70APL,L1Q
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
Hoja de datos:
En existencias: 104
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Existencias:
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En pedido:
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5,000Se espera el 14/09/2026
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Plazo de entrega de fábrica:
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27Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| Cinta cortada / MouseReel™ † | ||
| $3.84 | $3.84 | |
| $2.51 | $25.10 | |
| $1.80 | $180.00 | |
| $1.49 | $745.00 | |
| $1.44 | $1,440.00 | |
| $1.38 | $3,450.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000) | ||
| $1.34 | $6,700.00 | |
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.
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Hoja de datos
Application Notes
- Basics of CMOS Logic ICs
- C2MOS LOGIC IC Product Guide STD Series
- CMOS Logic ICs Selection Guide
- CMOS Logic ICs Usage Considerations
- Glossary of CMOS Logic IC Terms
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
