Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

IRFR1N60APBF

Name: Vishay IRFR1N60APBF
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 844-IRFR1N60APBF
Price: 1.02 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

844-IRFR1N60APBF

Fabricante N.º:

IRFR1N60APBF

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 1.4 Amp

Hoja de datos:

IRFR1N60APBF Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 2,742

Existencias:: 2,742 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 3 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$1.02	$1.02
	$0.712	$7.12
	$0.681	$68.10
	$0.639	$319.50
	$0.606	$606.00
	$0.603	$1,809.00
	$0.591	$5,319.00
24,000	Presupuesto

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

IRFR1N60APBF-BE3

Embalaje:

Tube

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$2.23

Mín.:

N.º de artículo del Fabricante:

IRFR1N60ATRPBF

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$2.22

Mín.:

Producto similar

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Fabricante N.º:

IRFR1N60APBF-BE3

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 1.4A N-CH MOSFET

Comparar con la parte actual

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	1.4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	14 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	36 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	20 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	14 ns
Serie:	IRFR/U
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	18 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9.8 ns
Alias de las piezas n.º:	IRFR1N60APBF-BE3
Peso de la unidad:	330 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

                        
The BE3 suffix version of this part number is the exact form, fit, and 
function of this part number.  The only difference is the country of 
origin. The BE3 suffix part number typically has a shorter lead-time 
if not already in stock at Mouser. 
Please contact a Mouser Technical Service Representative for 
further assistance 
5-0321-7