IRFRC20PBF-BE3

Vishay Semiconductors
78-IRFRC20PBF-BE3
IRFRC20PBF-BE3

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 2A N-CH MOSFET

Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
2 A
4.4 Ohms
- 20 V, 20 V
4 V
18 nC
- 55 C
+ 150 C
42 W
Enhancement
Bulk
Marca: Vishay Semiconductors
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Tiempo de caída: 25 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 1.4 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 23 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 23 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 10 ns
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99