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SI7629DN-T1-GE3

Name: Vishay SI7629DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7629DN-T1-GE3
Price: 1.87 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

781-SI7629DN-T1-GE3

Fabricante N.º:

SI7629DN-T1-GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 35A 52W

Hoja de datos:

SI7629DN-T1-GE3 Hoja de datos

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Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.87	$1.87
	$1.19	$11.90
	$0.796	$79.60
	$0.629	$314.50
	$0.575	$575.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.506	$1,518.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-1212-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	35 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	177 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	52 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	28 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	64 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	38 ns
Serie:	SI7
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	75 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	35 ns
Alias de las piezas n.º:	SI7629DN-GE3
Peso de la unidad:	1 g

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REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

Si76 Series MOSFETs

Vishay Semiconductors Si76 Series MOSFETs are TrenchFET^® power MOSFETs for low-side switches in DC/DC converters and OR-ings. The P- and N-channel MOSFETs are 100% avalanche and R_g tested. The Vishay Si76 Series MOSFETs offer a wide range of packages and voltages for user requirements.