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SQJ456EP-T2_GE3

Name: Vishay SQJ456EP-T2_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJ456EP-T2_GE3
Price: 1.18 USD
Availability: Discontinued

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Mouser N.º:

78-SQJ456EP-T2_GE3

Fabricante N.º:

SQJ456EP-T2_GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

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Modelo ECAD:

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	$1.18	$3,540.00
	$1.15	$6,900.00

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Fabricante N.º:

SQJA72EP-T1_GE3

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8L-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	32 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	26 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	42 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	83 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	SQJ
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	187 mg