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FCP125N65S3

Name: onsemi FCP125N65S3
Brand: onsemi
SKU: 863-FCP125N65S3
Price: 5.57 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-FCP125N65S3

Fabricante N.º:

FCP125N65S3

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 125MOHM E TO220

Hoja de datos:

FCP125N65S3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	24 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	125 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	46 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	181 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	17 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	26 ns
Serie:	FCP125N65S3
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel SuperFET III MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	73 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	25 ns
Peso de la unidad:	2 g

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Hoja de datos

FCP125N65S3 Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.