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FCU600N65S3R0

Name: onsemi FCU600N65S3R0
Brand: onsemi
SKU: 863-FCU600N65S3R0
Price: 2.47 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-FCU600N65S3R0

Fabricante N.º:

FCU600N65S3R0

Fabricante:

onsemi

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

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Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	600 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	11 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	54 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	14 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	3.6 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9 ns
Serie:	SuperFET3
Cantidad de empaque de fábrica:	75
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	29 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns
Peso de la unidad:	360 mg