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FDME510PZT

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Mouser N.º:

512-FDME510PZT

Fabricante N.º:

FDME510PZT

Fabricante:

onsemi

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	UMLP-6
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	31 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	500 mV
Qg - Carga de puerta:	16 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.4 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	54 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	21 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Serie:	FDME510PZT
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	93 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6.5 ns
Peso de la unidad:	25.200 mg