FDP22N50N

onsemi
512-FDP22N50N
FDP22N50N

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UniFETII 500V 22A

Modelo ECAD:
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En existencias: 1,028

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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$4.95 $4.95
$2.57 $25.70
$2.33 $233.00
$2.18 $1,090.00
$2.07 $2,070.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
500 V
22 A
220 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
65 nC
- 55 C
+ 150 C
312.5 W
Enhancement
UniFET
Tube
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 35 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 50 ns
Serie: FDP22N50N
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 48 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 22 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
República Checa
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.