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FDP4D5N10C

Name: onsemi FDP4D5N10C
Brand: onsemi
SKU: 863-FDP4D5N10C
Price: 5.59 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-FDP4D5N10C

Fabricante N.º:

FDP4D5N10C

Fabricante:

onsemi

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	128 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	68 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	150 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	134 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	49 ns
Serie:	FDP4D5N10C
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	41 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	29 ns
Peso de la unidad:	2 g