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FDS6680

Las imágenes son para referencia solamente
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Mouser N.º:

512-FDS6680

Fabricante N.º:

FDS6680

Fabricante:

onsemi

Ciclo de vida:

Obsoleto

Modelo ECAD:

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Alerta de envío:

Mouser actualmente no vende este producto en su región.

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Fabricante:

onsemi

Fabricante N.º:

FDS6680A

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO-8 SGL N-CH 30V

Ciclo de vida:

NRND: No recomendado para nuevos diseños.

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	11.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	10 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	40 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Serie:	FDS6680
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	36 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns
Alias de las piezas n.º:	FDS6680_NL
Peso de la unidad:	130 mg