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FQB9P25TM

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Mouser N.º:

512-FQB9P25TM

Fabricante N.º:

FQB9P25TM

Fabricante:

onsemi

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	250 V
Id - Corriente de drenaje continua:	9.4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	620 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	38 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	3.13 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	65 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	5.7 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	150 ns
Serie:	FQB9P25
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	45 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	20 ns
Peso de la unidad:	4 g