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FQH8N100C

Name: onsemi FQH8N100C
Brand: onsemi
SKU: 512-FQH8N100C
Price: 5.9 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

512-FQH8N100C

Fabricante N.º:

FQH8N100C

Fabricante:

onsemi

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.45 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	70 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	225 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	QFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	CZ
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	80 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	95 ns
Serie:	FQH8N100C
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	122 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	50 ns
Peso de la unidad:	6 g