FQPF5P20

512-FQPF5P20
FQPF5P20

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V P-Channel QFET

Ciclo de vida:
Fin de vida útil:
Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
P-Channel
1 Channel
200 V
3.4 A
1.4 Ohms
- 30 V, 30 V
5 V
13 nC
- 55 C
+ 150 C
38 W
Enhancement
QFET
Tube
Marca: onsemi
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 25 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 2.15 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 70 ns
Serie: FQPF5P20
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 12 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 9 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99