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MTP23P06VG

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Mouser N.º:

863-MTP23P06VG

Fabricante N.º:

MTP23P06VG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 23A P-Channel

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

MTP23P06VG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	23 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	120 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 15 V, 15 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	90 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	62 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	11.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	98.3 ns
Serie:	MTP23P06V
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	41 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13.8 ns
Peso de la unidad:	2 g

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Atributos seleccionados: 0

                        
This part is discontinued with no replacement. It will
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5-9999-2