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NTD2955G

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Mouser N.º:

863-NTD2955G

Fabricante N.º:

NTD2955G

Fabricante:

onsemi

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Mouser actualmente no vende este producto en su región.

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	12 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	155 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	55 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	48 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	8 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	45 ns
Serie:	NTD2955
Cantidad de empaque de fábrica:	75
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	26 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns
Peso de la unidad:	330 mg