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NTHL110N65S3F

Name: onsemi NTHL110N65S3F
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL110N65S3F
Price: 8.98 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTHL110N65S3F

Fabricante N.º:

NTHL110N65S3F

Fabricante:

onsemi

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	110 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	58 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	240 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	16 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	17 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	32 ns
Serie:	SuperFET3
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	61 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	29 ns
Peso de la unidad:	6 g