NTJS3151PT1G

onsemi
863-NTJS3151PT1G
NTJS3151PT1G

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 3.3A P-Channel

Modelo ECAD:
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En existencias: 7,001

Existencias:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$0.63 $0.63
$0.387 $3.87
$0.247 $24.70
$0.187 $93.50
$0.167 $167.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$0.132 $396.00
$0.12 $1,080.00
$0.113 $2,712.00
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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Reel, Cut Tape
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$0.66
Mín.:
1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SC-88-6
P-Channel
1 Channel
12 V
3.3 A
133 mOhms
- 12 V, 12 V
1.2 V
8.6 nC
- 55 C
+ 150 C
625 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 1.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 15 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 1.5 ns
Serie: NTJS3151P
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 3.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 0.86 ns
Peso de la unidad: 6.200 mg
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
Taiwán
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NxJS3151P Single P-Channel Power MOSFETs

onsemi NxJS3151P Single P-Channel Power MOSFETs are high-performance MOSFETs designed for efficient switching applications. Housed in a compact SC-88 (SOT-363) 2mm x 2mm package, these onsemi MOSFETs offer a low RDS(on) of just 45mΩ at -4.5V, enabling reduced conduction losses and improved thermal performance. With a maximum drain current of -3.3A and a drain-source voltage rating of -12V, the NxJS3151P devices are well-suited for load switching in portable and battery-powered devices. The ultra-low gate charge and fast switching characteristics contribute to enhanced energy efficiency, making the onsemi NxJS3151P Single P-Channel Power MOSFETs ideal for space-constrained designs where power density and reliability are critical.