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NTMFD5C650NLT1G

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Mouser N.º:

863-NTMFD5C650NLT1G

Fabricante N.º:

NTMFD5C650NLT1G

Fabricante:

onsemi

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8FL-Dual-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	111 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	37 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	125 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	120 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	24 ns
Serie:	NTMFD5C650NL
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	37 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns
Peso de la unidad:	161.193 mg