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NTMJS2D5N06CLTWG

Name: onsemi NTMJS2D5N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMJS2D5N06CLTWG
Price: 2.7 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMJS2D5N06CLTWG

Fabricante N.º:

NTMJS2D5N06CLTWG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 2.5mOhms 150A Single N-Channel

Hoja de datos:

NTMJS2D5N06CLTWG Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	31 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	24 nC, 52 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	113 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	PH
País de difusión:	JP
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	8.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	286 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	55 ns
Serie:	NTMJS2D5N06CL
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1-N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	37 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns
Peso de la unidad:	99.445 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.